• 场效应晶体管及其制造方法为了制造具有尖峰沟结构的FET，由于重复地进行光刻工序或刻蚀工序等，故该制造工序复杂而且长。根据本发明的方法，在半导体层2上用FIB形成宽度很窄的损伤层12，...

• 场效应晶体管及其制造方法-专利查询-专利查询网站为了制造具有尖峰沟结构的FET，由于重复地进行光刻工序或刻蚀工序等，故该制造工序复杂而且长。根据本发明的方法，在半导体层2上用FIB形成宽度很窄的损伤层12，...

• 专利：场效应晶体管及其制造方法为了制造具有尖峰沟结构的FET，由于重复地进行光刻工序或刻蚀工序等，故该制造工序复杂而且长。根据本发明的方法，在半导体层2上用FIB形成宽度很窄的损伤层12，...

• 半导体,半导体芯片,半导体发光,半导体集成电路器件类技术资料-...为了制造具有尖峰沟结构的FET，由于重复地进行光刻工序或刻蚀工序等，故该制造工序复杂而且长。根据本发明的方法，在半导体层2上用FIB形成宽度很窄的损伤层12，...

• 半导体,制造半导体器件,半导体集成电路器件,半导体结构类技术...为了制造具有尖峰沟结构的fet，由于重复地进行光刻工序或刻蚀工序等，故该制造工序复杂而且长。根据本发明的方法，在半导体层2上用fib形成宽度很窄的损伤层12，...

• 效应晶体管工艺技术,晶体管,半导体,制造场效应,包括场效应,...为了制造具有尖峰沟结构的FET，由于重复地进行光刻工序或刻蚀工序等，故该制造工序复杂而且长。根据本发明的方法，在半导体层2上用FIB形成宽度很窄的损伤层12，...

• 晶体管,场效应晶体管工艺技术,金属氧化物半导体场效应晶体管,...为了制造具有尖峰沟结构的FET，由于重复地进行光刻工序或刻蚀工序等，故该制造工序复杂而且长。根据本发明的方法，在半导体层2上用FIB形成宽度很窄的损伤层12，...

• 耳石明细学名Abudefduf vaigiensis纵沟丘异型，非常纵沟丘低...背侧边缘稍微圆形、隆起的或有尖峰沟颈无吻部短，宽、圆形 边缘形状稍微不规则上隆脊...